일반기술

초전도 소자의 포토리소그라피 방법

본 발명은 초전도 소자의 제조에 필요한 포토리소그라피 방법에 관한 것으로서, 포토마스크를 통한 기판 가장자리의 선택적 노광현상을 이용하여 기판 가장자리에 생기는 에지비드에 의한 회절현상을 제거하고, 금속 반사막을 증착하여 투명한 기판 아랫면의 반사로 인한 패터닝 부정확성을 개선하며, 포토레지스트의 표면에 경화막을 선택적으로 형성하는 방법을 통해 식각 조건에 알맞는 포토레지스트의 상태를 제공할 수 있도록 함으로써, 초전도 소자 제조시 패턴형성의 정확성을 높이고 에칭 프로파일을 원하는 모양으로 생성시킬 수 있으며, 이에 따라 소자 제조의 신뢰성과 재현성을 획기적으로 높이고 제조된 소자의 특성을 개선시킬 수 있도록 한 초전도 소자의 포토리소그라피 방법을 제공하고자 한 것이다. 본 발명은 초전도 소자의 제조에 필요한 포토리소그라피 방법에 관한 것으로서, 포토마스크를 통한 기판 가장자리의 선택적 노광현상을 이용하여 기판 가장자리에 생기는 에지비드에 의한 회절현상을 제거하고, 금속 반사막을 증착하여 투명한 기판 아랫면의 반사로 인한 패터닝 부정확성을 개선하며, 포토레지스트의 표면에 경화막을 선택적으로 형성하는 방법을 통해 식각 조건에 알맞는 포토레지스트의 상태를 제공할 수 있도록 함으로써, 초전도 소자 제조시 패턴형성의 정확성을 높이고 에칭 프로파일을 원하는 모양으로 생성시킬 수 있으며, 이에 따라 소자 제조의 신뢰성과 재현성을 획기적으로 높이고 제조된 소자의 특성을 개선시킬 수 있도록 한 초전도 소자의 포토리소그라피 방법을 제공하고자 한 것이다.