일반기술

TiN이온 플레이팅 장치를 이용한 치과 교정용 장치의 코팅방법

본 발명은 통상의 이온 플레이팅 장치를 사용하여 치과 교정용 장치의 표면을 TiN으로 코팅처리하여 밝은 색상과 높은 채도를 갖게 함으로써, 치아를 교정하기 위한 시술시에 환자가 금속성 장치에 대한 거부감을 느껴 교정치료를 회피하는 것을 막을 수 있고, 또한 시술 후에 환자나 그 주변 사람들로 하여금 불쾌감을 없앨 수 있도록 한 TiN 이온 플레이팅 장치를 이용한 치과 교정용 장치의 코팅방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 통상의 ARC 방전용 고진공 이온 플레이팅 장치를 사용하여 TiN 코팅막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 장치의 진공도를 10-5 ～ 10-7 torr 로 유지하며, 진공온도 250 ℃에서 전자빔 방식으로 Ti를 증발시키면서 이때 발생된 이온이 질소와 30분간 반응하여 두께는 1～2㎛이고, 색조는 L*a*b* 표색계에서 L*은 60～65, a*는 3～4, b*는 24～26인 TiN 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 통상의 이온 플레이팅 장치를 사용하여 치과 교정용 장치의 표면을 TiN으로 코팅처리하여 밝은 색상과 높은 채도를 갖게 함으로써, 치아를 교정하기 위한 시술시에 환자가 금속성 장치에 대한 거부감을 느껴 교정치료를 회피하는 것을 막을 수 있고, 또한 시술 후에 환자나 그 주변 사람들로 하여금 불쾌감을 없앨 수 있도록 한 TiN 이온 플레이팅 장치를 이용한 치과 교정용 장치의 코팅방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 통상의 ARC 방전용 고진공 이온 플레이팅 장치를 사용하여 TiN 코팅막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 장치의 진공도를 10-5 ～ 10-7 torr 로 유지하며, 진공온도 250 ℃에서 전자빔 방식으로 Ti를 증발시키면서 이때 발생된 이온이 질소와 30분간 반응하여 두께는 1～2㎛이고, 색조는 L*a*b* 표색계에서 L*은 60～65, a*는 3～4, b*는 24～26인 TiN 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 한다.