일반기술

다결정 실리콘의 저온 불순물 활성화를 위한 자외선열처리 방법

박막트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소오스/드레인 영역에 오옴익 접촉을 위하여 불순물을 주입하고, 저온에서 불순물들이 활성화 되도록 자외선 램프를 사용하여 열처리하는 방법에 관한 것이다.다결정 실리콘을 이용한 박막트랜지스터는 능동행렬 액정디스플레이의 능동소자와 주변회로에의 사용된다. 이때, 다결정 실리콘을 사용하는 박막트랜지스터 제작에서 레이저 열처리 기술을 이요할 경우에는 저온 공정이 가능하고 높은 전계효과 이동도를 구현할 수 있지만, 고가의 레이저 장비가 필요하므로 대체 기술이 많이 연구되고 있다.불순물 주입된 다결정 실리콘 상에 자외선 램프를 이용하여 열처리 공정을 수행하는 것이다. 본 발명은 절연기판과, 상기 절연 기판 상에 형성된 다결정 실리콘 활성층과, 상기 활성층상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 다결정 실리콘층상에 형성된 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터이다.본 발명은 절연기판에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층상에 절연막 및 제1 금속층을 형성하는 단계와, 상기 금속층 상에 게이트 전극 형성용 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 금속층 및 상기 절연막을 식각하여 게이트 전극 및 게이트 절연막을 각각 형성하는 단계와, 상기 다결정 실리콘의 노출된 부분 상에 불순물을 주입하는 단계와, 상기 불순물 주입된 다결정 실리콘 영역에 자외선 램프를 조사하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 제조방법이다.