일반기술

비정질막의 결정화방법 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법

본 발명은 비정질막 전면에 아주 얇은 두께로 증착된 제 1 촉매금속과 복수개의 독립된 패턴 형태로 소정 부위에 증착된 제 2 촉매금속을 씨드로 하여 비정질막을 결정화함으로써, 잔류금속의 양을 최대한 줄일 수 있고 결정화된 박막의 결정성을 향상시킬 수 있다. 또한 촉매 금속층이 이중으로 형성되므로 결정화 시간이 단축되고 결정화 온도도 낮아진다. 따라서, 현재 사용되어 지고 있는 레이저 다결정실리콘 박막을 대신하여 박막트랜지스터 액정표시소자, 태양전지, 이미지 센서 등에 필요한 다결정실리콘 박막으로 대체될 수 있다. 나아가서 저온에서 제작할 수 있다는 이점으로 인해 고온고상 결정화 방법에 의한 다결정실리콘 박막의 대체도 가능하다.본 발명은 결정화된 다결정실리콘 박막의 잔류 금속의 양을 최소화시키고 결정성을 향상시키고자 하는 비정질막의 결정화방법 및 이를 적용한 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 비정질막의 결정화방법은 기판 상에 비정질막을 형성하는 단계와, 박막의 제 1 금속층을 형성하는 단계와, 상기 비정질막 상부의 소정 부위에 제 2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 비정질막을 열처리하여 결정화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 즉 본 발명은 박막의 제 1 금속층과 독립된 복수 패턴의 제 2 금속층을 형성한 후, 열처리와 전계인가를 통해 결정화하는 방법을 제공하여 잔류금속의 양을 최대한으로 줄이고 결정화된 박막의 결정성을 향상시키는 것을 특징으로 한다.