일반기술

표면 광반사기를 이용한 박막 두께 및 조성비 조절 방법

본 발명은 반응 쳄버에서 성장하고 있는 박막의 두께와 박막 물질의 조성비를 광의 반사율을 통해 얻어진 측정 수치와 설정된 기준 수치를 비교하여 챔버로 유입되는 원료 가스량을 피드백함으로써 성장하는 박막 두께 및 조성비를 조절하도록 하여 반도체의 안정성을 높이도록 한 표면 광반사기를 이용한 박막 두께 및 조성비 조절 방법에 관한 것이다.본 발명은 표면 광반사기를 이용한 박막 두께 및 조성비 조절 방법에 관한 것으로, 반응 쳄버 내에 성장하고 있는 박막의 두께와 그 물질의 조성비를 광의 반사율을 이용하여 실시간으로 모니터링하고, 아울러 반사율을 통해 얻어딘 측정 수치와 기준 수치를 비교하여 챔버로 유입되는 원료 가스량을 피드백(feed back)함으로써 성장하는 박막의 두께 및 그 조성비를 조절하도록 하여 반도체의 안정성을 높이도록 한 것이다.본 발명은 발광기로부터 반응 쳄버의 웨이퍼로 광이 발광되는 단계와; 발광되는 광과 동일한 각으로 반사되는 반사광을 광검출기를 이용하여 광의 세기를 검출하는 단계와; 광검출기에서 검출된 신호 수치를 비교기에 인가하여 광신호 수치와 초퍼의 진동 수치를 비교하여 수치를 산출한 후 그 수치를 PC로 입력하는 단계와; PC로 입력된 광산출 수치를 목표 수치와 비교하여 작을 경우에는 밸브를 열어 원료 가스 공급을 늘리도록 하고, 클 경우에는 밸브를 닫아 원료 가스 공급을 줄이도록 하는 단계로 이루어져 성장하고 있는 박막의 두께 및 조성비를 실시간으로 컨트롤하고, 동시에 성장에 필요한 원료 가스를 적정량 공급함으로써 반도체의 안정성을 높이도록 한 것이다.