일반기술

폴라리제이션 상태 측정, 체크기술로 반도체 제조

이 기술은 반도체재료의 Polarization에 민감한 부분을 이용하여 폴라리제이션을 조작하고 광전기적인 요소들을 만들어 내는 기술이다. 이것은 구체적으로 GaInP나 InGaAs와 같이 배열된 III-V 반도체 물질을 각 활성요소 층 사이에 삽입시킴으로써 가능해진다. 배열된 반도체 물질 안에서 관찰되어지는 Apsorption의 폴라리제이션 Anisotropy성질들은 폴라리제이션 회로판과 Detectors를 실체와 시키는 데에 사용되어진다. 그리고 회로판 프로세스 작업은 detected된 빛의 밀도와는 거의 독립적이어서 III/V 반도체 기술의 간단한 제조가 가능하다.사용하는 빛의 폴라리제이션 상태를 측정하고 콘트롤 하기 위해서 여러 기술들이 이용되고 있고 특히 그 중에서 폴라리제이션에 민감한 활성요소와 민감하지 않은 비활성하는 광학요소들의 Hybride 조합 기술이 많이 이용되고 있는데, 기존의 이러한 조합기술에 비하여 본 기술은 효율적으로 공간활용을 할 수 있으며, 비용적인 측면에서도 상당히 저렴하다. 또한 해당 빛의 폴라리제이션 방향회전을 통해 light-positive한 회로판의 출원전류를 최대 민감도 7dB/Grade에서 5 크기등급 이상으로의 조정이 가능하다.