일반기술

듀얼 게이트 싱크론 계측 증폭기

Dual-Gate-Amplifier 기술은 Lock-In-Amplifier의 확장기술로 각각 다른 형태의 활성 아날로그 시그널을 synchronous하게 배열 준비하는 기술이다. 이 Dual-Gate-Amplifier는 두개의 독립적인 전기 회로판을 할당하는데, 각각 아날로그 RC 메모리와 연결되어 있고 Sum-and-difference amplifier로 유도한다. PLL(Phase-Lock-Loop)를 수반한 적당한 Gate-Logic을 거쳐 Dual-Gate-Amplifier는 두개의 Sample-and Hold나 Lock-In-Amplifier와 비슷한 작업을 하게 된다. 이 두 채널을 통해서 벡터볼트미터 (Vector Volt meter)가 만들어 질 수 있다.이 기술의 장점은 작은 정보량에 비해 상대적으로 많은 교란 장애요소를 가진 부분들을 (예를 들어 극 전환과정에서 켜져 있는시그널과 같은 요소들) 계측 시그널을 통해 제거 시킬 수 있다는 것이다. 이러한 방법으로 활성 상태의 더 나은 시그널을 만들어내고 너 높은 계측 다이너믹에 도달할 수 있다. Dual-Gate-Amplifier 기술은 또한 아날로그 싱크론 기술안에서도 Mesuring, Control and Regulation (MCR)를 위한 모듈 시리즈에 속하므로 아주 간단하게 모듈끼리도 서로 연결이 가능하므로 PC 시스템에 연결시키는데에도 이상적이라 하겠다.