일반기술

아조벤젠 물질을 이용한 에칭 마스크

본 발명은 감광성 물질의 특성에 의존하는 기존의 광화학 반응이 아닌 아조벤젠 화합물의 광물리적 물질이동 원리를 도입하여, 넓은 면적에서 선택성이 높은 마스크 제작 기술을 획득하고, 광반응에 의한 물질의 수축, 팽창 등의 변형 문제가 발생하지 않을 뿐만 아니라, 미광반응 부분의 제거단계인 현상단계과 같은 후공정단계를 필요로 하지 않는 노광 단일공정에 의한 에칭 마스크 제작공정을 제공하고, 또한 종래 평면상의 단순 격자구조물에서 격자의 간격 및 깊이의 조절이 가능했었음에 반해, 미세구조 패턴의 중첩원리를 이용하여 다양한 형상의 미세 표면요철구조를 성형할 수 있어서 광학소자 및 반도체소자 및 미세 기계시스템(micro electro mechanical system)등 미세 표면요철구조를 필요로 하는 소자 제작을 용이하게 구현할 수 있도록 개선한 에칭 마스크를 제공하고자 한 것이다.본 발명은 아조벤젠 그룹을 가진 물질의 표면에 소정의 광선을 노광시켜서, 그 표면에 파동형상의 곡면으로 된 미세 표면요철구조가 형성되어서 달성된 것을 특징으로 하는 에칭 마스크를 제공한다.바람직한 구현예로서, 상기 아조벤젠 물질의 표면을 노광시킬 때, 사용하는 광선은 하나 또는 둘 이상의 선형 편광, 원 편광, 타원편광중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 한다.다른 구현예로서, 상기 아조벤젠 물질의 표면을 노광시킬 때, 상기 각 광원들의 편광 및 파장이 다르게 조합된 간섭광선을 사용하는 것을 특징으로 한다.특히, 상기 아조벤젠 물질은 아조벤젠 기능기가 화학결합된 유기 또는 무기 단분자 또는 고분자이거나, 또는 아조벤젠 화합물이 비결합상태로 첨가(doping)된 유기 또는 무기 물질인 것을 특징으로 한다.