일반기술

단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (ｐ-)ＨＥＭＴ 소자의구조 및 그 제조 방법

단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 구조 및 그 제조 방법에 대해 개시한다. 본 발명에 실시예에 따른 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 구조는 반절연 화합물 반도체기판 상부에 불순물이 도핑되지 않은 채널층과, 채널층 상부에 불순물이 도핑된 장벽층과, 장벽층 상부에 서로 이격되게 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 오믹층과, 소오스/드레인 오믹층과 접촉되게 형성된 소오스/드레인 전극과, 소오스/드레인 오믹층 사이에서 장벽층이 노출된 공간에 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극과, 증가 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극 하부에 대응하는 장벽층내에 수소 이온이 주입된 불순물 농도 감소영역으로 이루어진다. 본 발명은 증가 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극 하부의 장벽층(불순물 농도 감소영역)에 수소 이온을 주입하고 열처리를 실시하여 장벽층내 불순물 농도를 조절할 수 있기 때문에 기존 증가 모드 (p-)HEMT의 장벽층의 두께를 식각해서 문턱전압을 조절하는 방식보다 용이하게 문턱 전압을 조절할 수 있어 소자 특성이 균일한 증가 모드 (p-)HEMT를 제작하고 결과적으로 수율이 높은 공핍 및 증가 모드의 (p-)HEMT로 이루어진 단일 집적회로를 제작할 수 있다.본 발명은 공핍 모드 및 증가 모드의 (p-)HEMT가 단일 집적화된 회로에서 증가 모드의 게이트 하부에 위치한 장벽층에 수소 이온을 주입하고 열처리함으로써 종래와 같이 장벽층 식각 공정을 이용하지 않고서도 쉽게 증가 모드의 문턱 전압을 조절할 수 있다.따라서, 본 발명은 증가 모드 (p-)HEMT의 문턱전압을 두께로 조절하기보다는 장벽층의 불순물 농도를 조절해서 문턱 전압을 조정하기 때문에 소자 특성이 균일한 증가 모드 (p-)HEMT를 제작하여 수율이 높은 공핍 및 증가 모드의 (p-)HEMT로 이루어진 단일 집적회로를 제작할 수 있는 효과가 있다.한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.