일반기술

고성능 유기 박막 트랜지스트의 소자 구조 및 그 제조방법

본 기술은 펜타센을 활성층으로 사용하는 유기 박막 트랜지스터를 제작함에 있어 OTFT의 성능 향상을 위한 소자의 구조와 제조 공정을 개선함으로서, 소자의 구조는 게이트 절연막과 유기 활성층 사이에 자기조립체를 삽입하여 유기 활성층의 분자들이 보다 밀집하여 적층되도록 함으로써 유기 활성층의 캐리어 이동도를 향상시켰다. 또한 제조 공정의 개선으로는 유기물 증착공정을 개선하여 전계 이동도를 향상시켰고, 게이트 절연막으로 유전율이 큰 재료를 사용하여 문턱전압을 감소시켰으며, 유기물은 solvent현상액에 용해되기 때문에 광리소그라피 공정이 불가능하였으나 물을 현상액으로 사용하는 새로운 광리소그라피 공정으로 가능하도록 하였다.본 기술은 유기 박막을 진공 증착한 후 고온 가압 장치 속에서 압력을 가하기 때문에 분자의 밀집도가 향상되어 전계 이동도가 개선 되었다. 그리고 유기 박막을 진공 증착하기 전에 게이트 절연층 표면에 자기조립체를 삽입하여 유기 박막의 분자의 밀집도를 향상시킬 수 있었으며 소스 및 드레인 전극과 유기 박막 사이에 유기 완충층을 삽입하여 접촉 저항을 감소시켰다.