일반기술

이종접합 광트랜지스터와 이종접합 쌍극자 트랜지스터로 구성된 광전소자 및 그 제조방법

본 기술은 이종접합 광트랜지스터와 이종접합 쌍극자 트랜지스터를 동일한 반도체 기판위에 광다링턴쌍의 형태로 집적화하여 흡수된 광신호를 전기적 신호로 변환하여 증폭하는 광전소자와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 종래의 광다이오드를 대체하여 전치증폭기로 사용된느 HBT와 근본 동작원리 및 에피구조가 동일한 HPT를 광검출기로 사용하는 광소자와 전자소자의 결합소자 및 그 제조방법이다.본 기술은 종래의 광다이오드 대신에 HPT를 사용하여 HBT와 동일 기판 상에 광다링턴쌍의 형태로 집적화한 광전자소자로써, 큰 바이어스나 부가적인 잡음없이 높은 광이득을 낼 수 있을 뿐만 아니라, HPT에서 기존의 2전극 구성 대신 베이스에 바이어스를 인가하는 3전극 구성을 통해 소자의 속도를 향상시킬 수 있으므로 종래의 기술에 비해 고감도 및 고속 광수신기 OEIC화를 구현할 수 있는 장점이 있다.