일반기술
3실 PHOTO-CVD 법에 의한 비정질 Si/금속기판형 태양전지의 고효율화 연구
-TCO/pin/금속기판형 비정질 실리콘 태양전지 계면특성 및 고효율화 연구-3실 광 CVD 장치 설계 제작 및 태양전지 시험 제작-태양전지의 고효율화 실현최종목표 -3실광 CVD법에 의한 비정질 실리콘/금소기판형 단층구조 태양전지(효율 12%, 1cm2)제작본 기술은 카세트식 광창교체 장치 설계완료 및 3실광 CVD 장치의 반응실을 광-플라즈마 복합형 CVD장치로 변환 가능토록 설계되었고, 변환효율 12.6%의 Glass/SnO2/pin/Ag/Al형 비정질 실리콘 태양전지 제작하였다. Glass/Mo 기판 및 스테인레스 금속기판을 사용하여 효율 11.6% 및 11.4%의 태양전지 제작하였다.본 기술의 기초자료로 3실광 CVD 장치 개발할수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 에너지·자원 > 기타 에너지·자원
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-10-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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