일반기술

기계적 가공과 화학적 에칭가공을 조합한 실리콘웨이퍼의 패턴가공

본 기술은 실리콘웨이퍼의 표면에 미세한 기계적 가공을 행하고 에칭가공을 이용하여 기계적 가공이 행해진 부위를 가공하는 새로운 개념의 기술이다. 마찰현상에 대한 연구에 의하면 아무리 미세한 힘이 표면에 가해지더라도 표면에는 파괴가 발생하며, 파괴가 발생한 부위는 높은 에너지 준위를 갖게 된다. 화학적인 에칭은 에너지가 높은 부위부터 가공이 행하여진다. 본 기술은 이러한 현상에 의해 실리콘웨이퍼의 표면에 미세한 마찰력을 유발시키고, 마찰력이 유발된 국부적인 부위만을 에칭으로 가공하는 기술이다.기존의 반도체 가공기술은 주로 고가의 장비에 의존하여 대량생산에 이용되었다. 본 기술은 저렴한 실험장비로서 소량 다품종의 생산에 적합한 가공방법으로서 신속하고 저렴하게 가공하는 방법을 제공한다. 향후 MEMS나 Micromaichine분야의 발전이 예상되며 본 기술은 이러한 마이크로 가공 및 기기분야에 활용될 것으로 전망된다.