일반기술
공진 터널링 전자장치
본 기술의 공진 터널링 전자장치는 복수 개의 비정질 실리콘 양자점이 분포하는 전위 장벽층을 포함함으로써, 전자의 공진 터널링 효과를 증대시켜 상온의 낮은 동작 전압에서 높은 피크 전류와 낮은 피크 전류를 구현할 수 있어서 높은 피크-밸리 전류비를 얻을 수 있다.본 기술은 초고속 논리장치 및 스위칭 장치 등으로 응용 가능하다. 또한, 실리콘 양자점의 개수를 변화시켜, 양자 속박 준위의 변화 및 양자 속박 준위의 개수를 변화하는 등 다양한 형태로 반도체 장치의 논리 소자로서 응용 가능하다. 본 기술의 공진 터널링 전자장치는 에미터층과 콜렉터층 사이에 위치하도록 기판 상에 형성되며 복수 개의 비정질 실리콘 양자점이 분포하는 전위 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전자부품
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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