일반기술

균일한 소자 특성을 갖는 ＩｎＰ 기반 ＭＯＳＦＥＴ용에피 구조물 및 이를 이용한 ＭＯＳＦＥＴ의 제조방법

본 기술은 MOSFET용 에피구조물 및 이를 이용한 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 기술의 제 1측면에 의한 본 기술의 에피구조물은 반절연 InP 기판과, 기판상에 성장시킨 불순물이 도핑되지 않은 InAlAs 또는 InP 버퍼층과, 버퍼층상에 성장시킨 InGaAs 채널층과, InGaAs 채널층상에 성장시킨 InP 산화방지층 및 InP 산화방지층상에 성장시킨 고농도 N형 불순물로 도핑된 InGaAs 오믹/산화층을 포함하는 MOSFET용 에피구조체를 포함한다. 또한 본 기술은 구조의 에피 구조물을 이용한 소자 제작시 산화막의 형성단계에서 액상산화공정 및 산소플라즈마 처리공정의 2단계 산화공정을 수행하여 안정적이고 균일한 소자특성을 가지는 소자를 구현할 수 있다.본 기술의 InGaAs 채널 및 InP 채널 MOSFET 에피 구조는 양질의 균일한 산화막을 형성할 수 있도록 설계되어 균일한 특성의 소자를 제작할 수 있고, 수율이 높은 MMIC의 개발에 활용될 수 있다. 또한 본 기술의 InGaAs 채널 및 InP 채널 MOSFET 에피 구조를 이용한 소자 제작 공정은 낮은 오믹 저항, 낮은 누설 전류, 높은 항복전압 등의 우수한 특성을 갖는 InGaAs 또는 InP 채널 MOSFET의 제작을 가능하게 하여 GaAs MOSFET을 이용한 MMIC에 비해 속도 특성, 잡음 특성, 전력 특성 등이 우수하고, 초 광대역의 신호처리에 사용될 수 있는 MMIC의 개발에 활용될 수 있다.