일반기술

나노 성장 기법을 이용한 이중 태양 전지 구조

본 기술은 MBE 단주기초격자(short-period superlattice) 성장 기술을 응용하여 Ga(In)P/InP 또는 Ga(In)As/InAs 나노 기둥, 나노 클러스터층(nano-cluster) 및 점진적인 두께의 변화를 준 디지털 합금(graded indexed digital alloy : GRINDA)을 흡수층으로 사용한다. 즉, 나노 성장 기술의 적용으로 인해, 기존의 저렴한 GaAs 또는 Ge 기판을 사용하고도, 태양 스펙트럼에 최적화된 흡수층을 구현할 수 있다.본 기술은 격자 부정합을 최소화하고, 고효율, 고출력의 태양 전지 제작이 가능하여, 단위 출력당 전력 단가를 줄일 수 있다. 즉, 고효율의 태양 전지는 인공위성의 성능 및 수명을 연장시킬 뿐아니라, 고출력의 태양력 발전소를 가능케 하여, 단위 출력당 전력의 원가를 낮출 수 있다. 그러므로, 고효율의 태양 전지 기술을 응용하여 태양력 발전이 전력생산 원가면에서 기존의 화력/원자력 발전의 원가를 따라잡는다면, 자연 친화적인 상업적 태양력 발전을 기대해 볼 수 있다.