일반기술

발리스틱 콜렉터 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터

본 기술은 기존의 Ballistic 콜렉터 HBT 구조에서 전자 발사구조를 형성시키기 위한 고 불순물 농도의 n+콜렉터 층을 낮은 불순물 도핑의 그레이딩된 AlxGa1-xAs층으로 대체하여 HBT의 항복전압을 증가시키고, 그로 인해 고전압 동작에서 HBT의 속도 특성을 더욱 향상시킬 수 있는 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터에 관한 것으로 본 기술에 따른 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터는, 반도체 기판상에 형성된 GaAs 서브콜렉터 층과, InGaP 콜렉터 층과, AlxGa1-xAs 그레이딩 층과, GaAs 제 1 스페이서 층과, GaAs 베이스 층과, GaAs 제 2 스페이서 층 및, InGaP 또는 AlGaAs 에미터 층과, GaAs 에미터캡 층으로 구성되며, InGaP 콜렉터 층은, GaAs 서브콜렉터 층의 상부에 형성된 제 1 n- 콜렉터 층과, 제 1 n- 콜렉터 층의 상부에 형성된 제 1 n+ 콜렉터 층과, 제 1 n+ 콜렉터 층의 상부에 형성된 p+ 콜렉터 층과, p+ 콜렉터 층의 상부에 형성된 제 2 n- 콜렉터 층으로 구성된 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터를 제공한다.DHBT 구조에서 콜렉터로 사용되는 InGaP를 낮은 불순물 도핑의 그레이딩된 AlxGa1-xAs층으로 대체하므로써, HBT의 항복전압을 증가시키고 그로 인해 고전압 동작에서 속도 특성을 더욱 향상시킬 수 있는 ballistic 콜렉터 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다.