일반기술

비정질 실리콘 양자점을 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법

본 기술에 따른 메모리 소자는 복수개의 비정질 실리콘 양자점이 분포되어 이루어지는 충전막을 포함한다. 여기서, 충전막은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 그리고, 비정질 실리콘 양자점은 1.0 x 1019 ~ 1.0 x 1021 개/cm3 의 밀도로 분포되며, 그 각각이 1.0 ~ 20.0 nm의 크기를 갖는 것이 바람직하다. 충전막의 두께는 3 ~ 100nm인 것이 바람직하다. 본 기술에 따른 메모리 소자는, 일반적인 메모리 소자와 달리 충전막에 비정질 실리콘 양자점을 포함한다. 따라서, 본 기술에 따른 메모리 소자는 기억용량이 크고, 기억저장 시간이 길며, 비휘발성이고, 속도가 빠르면서도 전압의 세기만으로도 쓰기/지우기를 할 수 있다.본 기술이 이루고자 하는 기술적 과제는, 양자점 미세구조를 이용하여 기억용량이 크고, 기억저장 시간이 길며, 비휘발성이고, 속도가 빠르면서도 전압의 세기만으로 쓰기/지우기를 할 수 있는 메모리 소자를 제공하는 데 있다. 본 기술이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 기술적 과제를 달성하는 데 적합한 메모리 소자 제조방법을 제공하는 데 있다.