일반기술

산화아연 산화물 반도체의 발광 다이오드와 레이저 다이오드용 오믹 접촉 금속 박막의 제조 방법

본 기술은 산화아연(ZnO) 산화물 반도체의 발광 다이오드(LED)와 레이저 다이오드(LD)용 오믹 접촉(ohmic contact) 금속 박막의 제조 방법에 관한 한 것이다. 본 기술은 산화아연 산화물 반도체의 발광 다이오드와 레이저 다이오드용 오믹 접촉 금속 박막을 제조하는 방법에 있어서, 산화아연 산화물 반도체층을 형성하는 제 1 단계와, 산화아연 산화물 반도체층상에 산소의 반응층인 제 1 금속 박막을 형성하는 제 2 단계와, 제 1 금속 박막 상에 캐리어 주입층인 제 2 금속 박막을 형성하는 제 3 단계를 포함한다.낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성과 같은 매우 우수한 전기적 특성으로 인한 전기적 손실의 감소로 광학적 효과도 매우 우수할 것으로 기대되기 때문에, 최근 차세대 청색 발광 물질로 각광을 받고 있는 산화아연 산화물 반도체의 발광소자 및 레이저 다이오드 개발에 이용될 수 있는 효과가 있다. 그리고 본 기술은 산화아연 산화물 반도체의 상업화를 가속화시킬 수 있으며, 디바이스의 수율을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 고온 열처리에 의한 소자성능의 저하를 막을 수 있다.