일반기술
수소 이온 주입을 이용한 열적으로 안정한 ＮｉＳｉ의제조방법
본 기술은 수소 이온 주입을 이용하여 우수한 열적 안정성과 낮은 면저항 그리고 낮은 누설 전류 값을 갖는 니켈모노실리사이드(NiSi)의 제조방법으로서, 실리콘 기판에 Ni을 증착하는 단계와, Ni이 증착된 실리콘 기판에 수소이온을 주입하는 단계와, 실리콘 기판을 급속열처리하여 NiSi층을 형성하는 단계를 포함한다.본 기술에 의하면 수소 이온 주입을 이용하여 급속 열처리시 발생하는 NiSi의 산화 현상을 효과적으로 억제하고, 그로 인하여 낮은 면저항과 우수한 열적 안정성, 그리고 낮은 누설전류 값을 갖는 NiSi을 제조할 수 있다. 따라서, 본 기술을 차세대 ULSI 소자에 적용하여 상업화시 고품질의 반도체 소자를 효과적으로 제조할 수 있을 뿐만 아니라 소자의 성능 향상을 극대화 시켜 제품의 경쟁력을 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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