일반기술

아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법

본 기술은 아연산화물 반도체의 표면을 수소를 포함하는 플라즈마로 처리하여 아연산화물 반도체내의 결함들을 비활성화(passivation)시킴으로써 도핑의 효과가 잘 나타나도록 하여, 아연산화물 반도체와 금속이 서로 오믹접촉될 수 있도록 하는 아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법에 관한 기술이다."본 기술은 반응기 내의 서셉터 상에 아연산화물 반도체가 증착된 기판을 안착시키고, 반응기 내에 수소를 포함하는 플라즈마를 형성하여 반응기 내의 압력이 1 mTorr ~ 1 Torr이고 온도가 0∼400℃인 조건에서 아연산화물 반도체의 표면을 플라즈마에 노출시킨 다음에 금속 배선을 형성하는 것을 특징으로 한다.이 때, 수소를 포함하는 기체에 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 및 라돈(Rn)으로 이루어진 불활성기체 군으로부터 선택된 어느 하나를 더 포함시키거나, 또는 적어도 이들 중의 어느 하나를 포함하는 혼합기체를 더 포함시키는 것이 바람직하다. 본 기술에 의하면, 간단한 방법으로 낮은 비접촉저항을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 우수한 광학적 특성도 얻을 수 있다. 또한, 본 기술은 고온 공정이 필요치 않으므로 기존의 화합물 반도체에서 사용되는 고온 열처리에 의해 야기될 수 있는 소자의 성능저하도 피할 수 있다."