일반기술
유전체 특성이 개선된 ＩｎＧａＡｓ산화막의 형성방법
본 기술은 액상산화에 의한 InGaAs 산화막의 형성방법에 관한 것으로, 본 기술의 산화막 형성방법은 산성도가 조절된 소정의 액상산화용액에 의해 InGaAs 내의 Ga 및 As를 산화하는 단계와, 전기 단계에서 산화된 InGaAs 산화막내의 금속 In을 산소 플라즈마 처리하여 산화하는 단계를 포함하는 InGaAs 산화막의 형성방법을 포함한다.전기전도도가 매우 낮고 계면 상태밀도가 낮은 양질의 InGaAs 산화막의 형성이 가능해진다. 따라서 이를 이용해 제조되는 MISFET(또는 MOSFET)는 속도특성 및 잡음특성이 우수하여 초광대역의 신호처리용 소자 및 MMIC의 개발에 활용이 가능하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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