일반기술
인듐갈륨알소나이드 콜렉터 에이치비티의 에피택시얼구조
본 기술은 GaAs 계열 이중접합 쌍극성 트랜지스터(HBT: Heterojunction Bipolar Transitor)의 볼리스틱 콜렉터(Ballistic Collector) 구조에 있어서, 콜렉터 구조에 전자발사구조를 형성하고 전자의 속도 특성을 향상시키는 InGaAs 콜렉터 HBT의 에피택시얼 구조(Epitaxial Structure)에 관한 것이다.HBT의 속도특성을 향상시키기 위하여 기존의 GaAs 계열 볼리스틱 콜렉터 HBT 구조에서 낮은 불순물 도핑의 그레이딩된 InxGa1-xAs 콜렉터를 이용하여 전자발사구조를 형성시켜 기존의 볼리스틱 콜렉터 HBT 구조에서 사용하는 고 불순물 농도 n+콜렉터층과 p++베이스 사이의 pn 접합에 의해 발생되는 항복전압의 감소현상을 줄이고 InxGa1-xAs 콜렉터층 내에서 전자의 속도특성을 향상시키는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전기·전자기 기능재료
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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