일반기술

초고속 광검출기용 에피택시얼 구조

본 기술은 광검출기에 있어서 속도특성을 향상시키기 위해 소자 내를 통과하는 정공의 유효질량을 감소시키는 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조에 관한 것이다. 광검출기의 속도특성을 향상시킬 수 있도록, Semi-insulating 인듐인 기판과, Semi-insulating 인듐인 기판위에 성장되는 In0.53Ga0.47As의 결정층인 n+형 오믹층과, n+형 오믹층위에 성장되는 InxGa1-xAs(x0.53)의 결정층인 i형 광흡수층과, i형 광흡수층위에 성장되는 In0.53Ga0.47As의 결정층인 p+형 오믹층을 포함하는 pin형과, Semi-insulating 인듐인 기판과, Semi-insulating 인듐 인 기판위에 성장되는 In0.53Ga0.47As의 결정층인 n+형 오믹층과, n+오믹층 위에 성장되는 InxGa1-xAs(x0.53)의 결정층인 i형 또는 n-형 광흡수층과, i형 또는 n-형 광흡수층위에 성장되는 In0.52Al0.48As의 결정층인 i형 또는 n-형 쇼트키층을 포함하는 쇼트키형 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조를 제시하여 광검출기의 속도특성을 향상시키는 효과가 있다.본 기술은 광검출기에 있어서 속도특성을 향상시키기 위해 소자 내를 통과하는 정공의 유효질량을 감소시키는 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조에 관한 것이다. 일반적으로 광검출기(photodetector)는 빛을 검출하여 그 강도를 전기 신호로 변환하는 트랜스듀서를 말한다. 광전지(실리콘, 셀렌), 광도전 소자(황화 카드뮴, 셀렌화 카드뮴), 포토 다이오드, 포토트랜지스터, 광전자 증배관, 광전관(진공, 가스 봉입) 등이 있다. 위의 광검출기는 일반적으로 광변환효율이 우수한 직접천이 반도체(direct bandgap semiconductor)를 이용하여 제작된다.