일반기술
탄소 나노튜브를 가진 삼극 구조의 전자소자에 대한제조방법
본 기술은 탄소 나노튜브를 갖는 삼극구조의 전자소자에 대한 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼 상에 산화막, 다결정 실리콘막 및 실리콘 산화막을 순차적으로 형성하고, 에칭하여 트렌치(trench)를 형성하고, 트렌치의 측면에 실리콘 산화막으로 측벽을 형성하고, 트렌치의 바닥면을 제외한 부분에 알루미늄막을 형성한 다음, 탄소 나노튜브 성장의 촉매로 작용할 금속을 증착한 후, 알루미늄막이 있는 곳에 증착된 금속 촉매층은 제거하여 트렌치 바닥면에만 금속 촉매층을 잔류시킨 상태에서 금속촉매층 상에 수직으로 배향된 탄소 나노튜브를 형성하는 단계를 포함한다.본 기술은 금속촉매의 금속입자의 크기를 매우 작게 하여 많은 탄소 나노튜브의 핵생성의 장소를 제공함으로써, 트렌치의 내부에서 전계의 방출특성이 뛰어난 탄소 나노튜브를 제조하는데 목적이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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