일반기술
ＭＯＳ 트랜지스터 게이트 절연막 및 그 제조방법
본 기술에 따른 MOS 트랜지스터 게이트 절연막은, 하프늄 산화막에 Dy가 도핑되어 이루어지고 여기서, Dy의 도핑량은 1 내지 20 원자% 인 것이 바람직하며, Dy 도핑된 하프늄 산화막은 원자증착법, 화학기상증착법, 및 반응성 스퍼터링법 등에 의하여 형성될 수 있다.Dy 도핑된 하프늄 산화막을 게이트 절연막으로 사용하게 되면 차세대에 적합한 유효두께를 가질 뿐만 아니라 누설전류가 매우 적은 게이트 절연막을 얻을 수 있게 된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.