일반기술

초전도 마그네슘 보라이드 박막의 제조방법 및 제조장치

본 기술은 초전도 마그네슘 보라이드(Magnesium Boride: MgB2) 박막, 그 제조방법 및 이의 제조장치를 제공한다.기판상에 보론 박막을 형성하는 단계 및 보론 박막이 형성된 기판과 마그네슘을 열처리한 다음, 이를 냉각시키는 단계를 포함한다. 본 기술에 명시된 방법으로 박막을 제조하면, 기판에 수직하게 c축 배향성을 갖는 초전도 마그네슘보라이드 박막을 얻을 수 있다. 본 기술에 의해 제조된 마그네슘보라이드 박막은 초전도체 박막을 이용하는 전자장비 예를 들어, 미세자기장을 탐지하는 초전도양자간섭소자(SQUIDs)를 이용하는 의료용 정밀진단 장비와 위성통신에서 사용되는 마이크로파 통신장비, 조셉슨 소자 등에 이용이 가능하며, 이를 이용하며 컴퓨터를 제작하면 현재의 경우보다 연산속도가 100배 이상 향상되는 컴퓨터를 제조하는 것이 가능해진다.마그네슘보라이드(MgB2) 초전도체는 초전도 전이온도가 39K로서 기존의 금속 초전도체의 경우(23K)와 비교하여 초전도 전이온도가 매우 높고 전도전자 밀도가 커서 전류수송특성이 양호하므로 향후 기존에 사용되는 모든 초전도에 관련된 장치들이 마그네슘보라이드로 대체될 가능성이 크다.