일반기술
반도체 메모리 셀용 적층형 페로브스카이트 강유전체 캐패시터
본 기술은 반도체 메모리 셀의 제조에 이용되는 적층형 페로브스카이트 강유전체 캐패시터(layered perovskite ferroelectric capacitor)에 관한 것으로 FRAM(ferroelectric random access memory)용 메모리 셀의 제작에 이용되는 Bi4-XAXTi3O12 기반의 적층형 페로브스카이트 강유전체층을 포함하는 비휘발성 강유전체 캐패시터에 관한 것이다. 본 기술의 Bi4-xLaxTi3O12 기반의 비휘발성 강유전체 캐패시터는 Bi4Ti3O12 (BTO)의 페로브스카이트층 내의 Bi 원소의 일부를 La 등으로 치환함으로서, BTO의 페로브스카이트층 내의 Bi에 의해서 주로 발생하는 산소 공핍을 방지하여 우수한 피로특성과 높은 분극값을 유지하며, 동시에 높은 유전율을 가진다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전자제품
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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