일반기술
폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체와 그 제조방법 및 이를 이용한 저유전성 코팅막
본 기술은 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체와 그 제조방법 및 이를 이용한 저 유전성 코팅막의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 폴리메틸실세스퀴옥세인 공중합체는 메틸트리알콕시실란 [A: CH3Si(OR)3]과 함께 양쪽 끝에 반응 자리를 가지는 ɑ, ω-비스트리알콕시실릴화합물[B:(RO)3Si-X-Y-Si(OR)3]을 공중합 단량체로서 사용하여 중합한 것으로서 실란올 말단기 함량 10% 이상 분자량 5000-3000을 가지며 기공 생성제와 함께 코팅되어 열처리되는 경우 생성된 코팅막은 나노메타 크기의 미세다공을 함유하게 되어 만족할 만한 수준의 기계적 강도를 가지면서도 유전율이 2.3 이하의 초저유전성을 가지게 되어 차세대 반도체인 구리배선 칩 제조에 필수적인 절연물질로 사용되어 제품의 성능을 높이는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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