일반기술
반도체 배선용 금속막 형성방법
본 기술은 환원전위가 높은 금속 이온이 그보다 낮은 환원전위를 가지는 다른 금속 표면에서 치환되어 막을 형성하는 현상을 이용하여 구리 표면에 얇은 은 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 산화에 대한 저항성이 상대적으로 우수한 은을 표면에 형성하여 공기중에 노출된 채 가열되었을 때 발생할 수 있는 구리의 연속적인 산화 반응을 방지하고 열처리를 통해 이러한 현상을 더욱 강화시킬 수 있다. 또한 비저항이 구리 배선 자체보다도 낮은 은을 이용해서 표면을 보호함으로서, 특별한 비저항의 증가 없이 효과적으로 표면을 보호할 수 있다. 본 기술은 반도체에서의 금속 배선공정에서의 산화 방지막 형성에 응용가능하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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