일반기술
반도체 배선용 은박막 형성방법
본 기술은 반도체의 금속 배선 공정에서 사용되는 다마신 공정에서, 물리적 기상증착(PVD) 방법을 이용해 형성되는 씨앗층 대신 무전해 도금을 이용해 고비저항 기판에서 직접적으로 씨앗층을 형성하는 기술이다. 종래의 씨앗층은 물리적 기상증착을 이용하여 형성하였으나, 고단차 패턴 구조의 내부에 대해서 단차 피복성이 불량하므로 위치에 관계없이 균일한 두께를 가지는 씨앗층의 형성이 점차 어려워지고 있다. 본 기술에서는 우수한 단차 피복성을 가지는 무전해 도금을 이용해 씨앗층을 형성한 후, 이 씨앗층 상에서 전해도금을 진행시켜 은 박막을 형성하였다. 무전해 도금과 전해 도금 과정에서 발생하는 스트레스 등으로 인한 점착력 문제를 해결하기 위해, 무전해 도금을 통해 형성한 씨앗층을 질소 분위기에서 열처리할 경우, 형성된 박막은 기판과 우수한 점착력을 가진다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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