일반기술
Ru 박막 증착방법
본 기술은 DRAM 공정에서의 capacitor 전극 형성을 위한 루테늄 박막 형성 방법에서, 막의 물성 개선을 위한 표면 처리 방법에 관한 것이다. 본 기술은 루테늄을 이용해 차세대 DRAM 공정에서 capacitor의 전극을 형성하기 위한 화학적 기상 증착법(CVD)에서, 표면 처리에 의해 막의 거칠기나 물성 등이 개선되었다. 확산방지막으로 쓰이는 질화 티타늄 표면에 습식 공정을 이용해 수십 nm 정도의 팔라듐 촉매 입자를 생성시키고 루테늄 박막을 CVD를 이용해 증착할 경우, 촉매입자가 성장핵으로 작용하며 전구체의 분해를 촉진시켜서 매우 조밀하고 순도가 높은 루테늄 박막이 형성된다. 팔라듐 촉매 입자가 형성된 표면에서 성장한 루테늄 박막은 매우 높은 순도를 가지고 있었으며, 초기 성장 단계에서 이미 생성된 팔라듐 입자가 성장핵으로 작용하여 연속적인 박막을 형성하기까지의 시간이 매우 감소하였다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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