일반기술
구리막 형성방법
본 기술은 구리염과 구리이온과 리간드를 형성하여 액상반응을 억제하는 착화제와, 구리이온을 환원시키는 환원제와, 환원제가 산화되도록 적당한 pH를 유지시키는 pH 조절제를 포함하는 무전해 도금액에 피도금체를 침지하여 피도금체 표면에 무전해 구리막을 형성하는 단계 및 무전해 도금액에서상기 피도금체를 꺼내지 않고 바로 무전해 구리막이 형성된 피도금체에 환원전위를 인가하여 피도금체에 전해 구리막을 형성시키는 단계를 포함한다." 본 기술는 이동과정에서 생길 수 있는 구리의 산화를 방지할 수 있으며, 공정간 이동과정이 사라짐으로써 전체 도금 공정의 단순화와 도금 공정 비용의 절감을 실현할 수 있다. 본 기술은 구리가 가진 낮은 비저항과 전자이동에 대한 높은 저항성 때문에 반도체 배선 공정에 구리 전해 도금 공정의 도입이 증가하고 있다. 따라서 본 기술의 활용이 기대된다."
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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