일반기술
루테늄 박막 형성 방법
본 기술은 반도체 기판을 마련하는 단계와, 활성화 용액에 기판을 침지시켜서 기판 표면에 활성화 물질을 증착하여 기판을 활성화하는 단계와, 활성화된 기판을 루테늄 전해 도금 용액에 침지시키고 환원 전위를 인가하여 활성화된 기판 표면에 루테늄을 전해 도금하는 루테늄 박막 형성 방법에 관한 것이다. 본 기술은 화학 기상 증착법으로 형성되던 루테늄 박막을 비용이 저렴하고 공정이 간단한 전해 도금으로 형성하고 반도체 구조에서 하부 전극으로 루테늄을 사용하는 경우 누설 전류 특성이 우수하고 백금보다 식각이 용이하므로 루테늄 박막을 커패시터의 전극으로 사용하기 위한 연구가 활발해지고 있다. 그러므로 본 기술에 의한 루테늄 박막 형성 공정이 반도체의 하부전극 형성에 이용될 것으로 예상된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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