일반기술

반도체 배선용 구리 박막 형성방법

본 기술은 구리염과, 구리이온과 리간드를 형성하여 액상반응을 억제하는 착화제와, 구리이온을 환원시키는 환원제와, 환원제가 산화되도록 적당한 pH를 유지시키는 pH 조절제를 포함하는 무전해 도금액에 피도금체를 침지하여 피도금체 표면에 무전해 도금을 실시하는 반도체 배선용 구리 박막 형성방법에 있어서, 도금액의 온도를 30℃~70℃에서 실시하는 것, 또는 도금액의 온도를 30℃~70℃에서 실시한 다음에, 도금액의 온도를 15℃~28℃로 하여 실시한다. 본 기술은 구리 막내의 구리 산화물이 존재하지 않고, 구리 박막의 비저항은 낮으며, 접합성 또한 뛰어난 반도체 배선용 구리 박막을 얻을 수 있으며, 잠복기를 줄여 공정 전체 시간을 줄일 수 있고 구리가 가진 낮은 비저항과 전자이동에 대한 높은 저항성 때문에 반도체 배선 공정에 구리의 사용이 증가하고 있다. 본 기술에 의한 구리 박막 형성 방법은 이전에 구리 무전해 도금을 통해 얻을 수 있던 구리 박막보다 더 나은 막질의 구리 박막을 짧은 공정 시간에 얻을 수 있으므로 차후에 반도체 배선 공정에 쓰일 수 있다고 본다.