일반기술
루테늄 박막 형성 방법-1
본 기술은 루테늄 소스 가스와 산소 가스를 사용하여 화학 기상 증착법으로 반응 챔버 내의 기판 상에 루테늄 박막을 형성하는 방법에 있어서, 할로겐 화합물을 이용하는 것이다. 본 기술을 통해 균일한 루테늄 박막을 증착할 수 있으므로 박막의 전기적 특성의 향상시켰으며, 고온 공정에서도 큰 박막 증착률을 얻을 수 있으므로 저온 공정에서 생긴 탄소 불순물을 제거하기 위한 별도의 열처리 공정이 필요하지 않으므로 생산성 향상과 원가절감 효과가 있다. 또한 작은 선폭을 가진 단차 패턴의 고품질 루테늄 박막을 형성할 수 있으므로 반도체에서 전극을 형성하는 데 사용할 수 있다. 최근 귀금속 또는 그 산화물을 반도체 집적회로에 존재하는 커패시터의 하부전극 또는 상부전극으로 사용하는 연구가 진행되고 있으며, 루테늄의 경우 누설 전류 특성이 우수하고 백금보다 식각이 용이하므로 차후에 반도체 공정에 사용될 것으로 예상된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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