일반기술

기판 표면 처리 방법

본 기술은 환원제의 산화에 의해 발생하는 전자를 이용해 금속 이온을 환원시켜 반도체 기판에 도금하는 무전해 도금을 실시하기 전의 기판 표면 처리 방법은 반도체 기판을 마련하는 단계와 반도체 기판의 표면에 형성된 자연 산화막을 식각하여 세정하는 단계와 세정된 반도체 기판을 환원제를 산화시키기는 데 필요한 촉매와 기판의 표면을 활성화하는 활성화제와 촉매의 금속 이온과 리간드를 형성하는 착화제로 이루어지는 활성화 용액에 침지시켜 표면을 활성화하는 단계를 포함한다. 본 기술은 기판 표면에 균일한 촉매층을 형성하여 낮은 면저항을 갖는 것과 동시에 표면이 고른 무전해 도금막을 형성할 수 있어서 반도체의 질적 향상을 도모할 수 있고 구리 무전해 도금은 낮은 비용으로 가능하며 대면적에 균일한 박막을 형성할 수 있다는 장점을 가지고 있으므로 차후에 반도체 배선 공정에 도입될 것을 기대된다. 그러므로 본 기술은 구리막의 질 향상을 위해 반도체 배선공정에서의 구리 무전해 도금에 사용될 것으로 기대된다.