일반기술
반도체 배선용 구리막 형성방법
본 기술은 반도체 기판을 마련하는 단계, 반도체 기판에 건식법 또는 습식법을 이용하여 구리 시드층을 형성하는 단계, 반도체 기판을 세정하는 단계, 반도체 기판 상에 환원 전위를 인가하여 구리전해 도금액을 이용하여 전해 도금을 실시하는 단계, 전해 도금을 실시한 반도체 기판에 고온 열처리를 실시하는 단계를 포함한다. 본 기술은 구리 시드층 위에 구리 전해 도금을 하였을 때에 후속 공정으로 간단한 고온 처리를 함으로써 균일한 구리막을 형성할 수 있고, 면저항도 감소시키므로 고품질의 반도체 배선용 구리막을 형성할 수 있다. 구리가 가진 낮은 비저항과 전자이동에 대한 높은 저항성 때문에 반도체 배선 공정에 구리의 사용이 증가하고 있으며, 그에 따라 구리 전해 도금 공정의 도입이 증가하고 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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