일반기술
반도체 금속막 형성방법
본 기술은 반도체 금속막 형성 방법 관한 것으로서, 특히 무전해 도금으로 시드층(seed layer)을 형성하는 반도체 금속막 형성 방법에 관한 것이다. 본 기술은 무전해 도금으로 구리 시드층의 형성과 전해 도금으로 구리 전해막의 형성이 동일한 용기 내에서 이루어지기 때문에 구리 시드층이 대기중에 노출되어 산화되는 문제점을 없앨 수 있고, 또한 구리시드층을 형성시키기 위한 별도의 CVD 내지 PVD 장치가 필요없으므로 공정이 단순하며 생산비용도 절감된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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