일반기술
고온 완충층을 이용한 질화물 반도체 에피층 성장 방법
질화물 반도체는 적절한 기판의 부재로 인해 일반적으로 저온 완충막을 이용한 2 단계 성장법을 이용하여 에피층을 성장하여 왔다. 저온 완충막의 경우, 많은 핵생성 자리를 제공함으로써 이종기판의 사용으로 인한 어려움을 해결하였으나, 고온 완충막을 사용하는 경우에는 2차원의 얇은 두께의 평탄한 막을 미리 형성하여 줌으로써 에피층을 형성하게 된다. 기존의 저온 완충막을 이용한 2단계 성장법은 기판 성장 등의 bulk 구조에서 사용가능한 방법이나 고온 완충막을 이용하게 되는 경우, 수 nm 수준의 양자구조에서의 적용이 가능하게 되고 질화물 반도체를 이용한 LED 및 LD 등의 광소자 제작시, 활성층 성장에서 고온 완충막의 사용이 가능하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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