일반기술
중간 질화물 에피층의 금속상 전환을 이용한 저결함, 저응력 질화물 반도체 에피층 성장 방법
본 기술은 이종기판에 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 과정에서 중간에 금속층으로 전환시킬 수 있는 중간 질화물 반도체 에피층을 삽입하고 그것을 금속층으로 전환시키는 방법에 의해 후속적으로 성장시키는 질화물 반도체 에피층의 내부 결함을 크게 낮추면서 응력 발생을 감소시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 중간 질화물 반도체 에피층으로부터 변환되어 생성된 금속층은 추후 질화물 반도체 에피층과 이종기판의 분리에 있어서도 선택적 식각 방법 등으로 쉽게 분리해낼 수 있다. 이 방법을 사용하는 경우 현재 2인치 이상의 대면적 기판 제조에 걸림돌이 되고 있는 기판 휨(warpage) 현상을 감소시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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