일반기술
얇은 이종 덮개층을 이용한 자발 형성 양자점 구조 형성 방법
본 기술은 반도체 양자점(quantum dot) 구조 형성 방법에 관한 것으로서 양자점 레이저, 증폭기, 광 스위칭 등의 광소자로 이용할 수 있는 양질의 양자점 구조 형성 방법에 관한 것이다. 본 기술에서는 반도체 기판 상에 양자점 층을 형성한 다음, 덮개층(capping layer)을 형성하기 전에, 격자 상수가 덮개층보다 작고 에너지 간격(band gap)은 덮개층보다 큰 이종 덮개층을 삽입하여 이 이종 덮개층의 두께를 변화시키면서 양자점의 발광 파장을 조절할 수 있다. 또한 양자점을 더욱 균일하게 변형시켜 발광 파장의 반가폭을 줄일 수 있고 본 기술에 따른 양자점 구조를 양자점 레이저, 증폭기, 광 스위칭 등의 광소자로 응용할 때 그 소자 특성이 개선될 가능성이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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