일반기술

낮은 표면 거칠기와 높은 격자 이완정도를 갖는 반도체 박막 구조 형성 방법

본 기술은 격자가 이완된 반도체 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 박막의 격자를 이완시킴과 동시에 표면을 평탄하게 유지하게 한다. 본 기술에서는 반도체 기판 상에 격자 상수가 다른 물질로 이루어진 박막층을 성장한 다음, 화학적 제거가 가능한 막을 덮개층(capping layer)으로서 형성하고, 이를 열처리한다. 열처리 후, 덮개층을 화학적 식각을 통해 제거함으로써 평탄한 표면을 얻는다. 박막층의 두께를 변화시키면 격자의 이완정도를 조절할 수 있고, 덮개층에 의해 표면의 평탄도는 일정하게 유지된다." 본 기술에 의하여 얻은 박막 구조 위에 성장하여 얻는 박막의 격자는 임의로 조절이 가능하며, 이를 통해 소자 특성이 개선될 수 있다. 박막의 격자를 이완시키는 기존의 방법들이 가지고 있는 문제점을 극복하여 간단한 격자 이완 방법을 통해 실제의 소자 공정에 있어서 공정의 경제성을 향상시킨다."