일반기술
저온화학증착법에 의한 TiN막의 형성방법
본 기술은 TiCl4와 NH3를 사용하여 저온화학증착법으로 양질의 두꺼운 TiN막을 얻을 수 있는 방법에 관한 것으로, 본 기술에 의하면 좁은 기체관을 통하여 반응로내로 유입되는 TiCl4 기체가 반응로 내부에서 충분한 체류시간을 확보할 수 있도록 하여 줌으로써 반응기체의 불충분한 예열로 인한 TiN막내의 불순물 잔존 등에 따른 코팅층의 접착력의 악화등의 문제점을 극복할 수 있다. 본 기술은 700℃정도의 저온에서 양질의 두꺼운(2㎛이상)TiN막을 제조하는 것이 가능하여 이러한 공정을 공구재료의 코팅층 형성에 적용할 경우 에너지 절감은 물론 코팅후 상변태에 따른 후속 열처리 공정이 불필요하게 되어 대량생산에도 잇점이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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