일반기술
메모리용 자기저항 소자의 제조방법
본 기술은 자기저항소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 비휘발성 메모리 소자로의 응용이 활발히 연구되고 있는 스핀밸브 자기저항 소자의 제조시에 재료 내에 별도의 외부자장의 인가없이 자기이방성을 유도하여 자기저항소자를 제조하는 방법에 관한 것이다 본 기술에 따르면 기울여 잘라진 Si 기판과 Cu 바닥층 위에서는 증착 중 외부자장의 인가 또는 후열처리 공정 없이도, 자성층 / 비자성층 / 자성층으로 구성된 스핀밸브 거대자기저항재료 내부에 강한 일축자기이방성이 유도되어 메모리용 소자 등의 제조에 응용가능한 매우 유용한 기술이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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