일반기술
산화지르코늄타이타늄 박막을 이용한 전계형 트랜지스터 및 그 제조방법
본 기술은 산화지르코늄타이타늄 박막을 강유전체 물질의 확산 방지막 또는 버퍼층으로 이용한 전계형 트랜지스터 소자에 관한 것으로서 반도체 실리콘 기판상에 산화지르코늄타이타늄(ZrTiO4)으로 이루어진 버퍼층과 버퍼층 상부에 형성되는 납-지르코늄-타이타늄 산화물(PZT) 강유전체 유전막을 포함하여 구성된다. 본 기술은 강유전체 유전막 PZT의 구성성분인 Zr,Ti으로 이루어진 고유전율의 산화지르코늄타이타늄 박막을 버퍼층으로 사용함으로서 PZT박막과 버퍼층간의 계면특성이 향상되고, 상기 PZT와 반도체 실리콘 기판사이의 반응이 효과적으로 억제되므로 전계형 트랜지스터 소자의 특성을 향상시킬수 있는 장점이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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