일반기술
알루미늄막 또는 산화알루미늄막의 형성방법
본 기술에서는 알루미늄 소스물질로서, 유기 알루미늄 화합물(DMEAA, Dimethylethylamine alane)을 이용하며 이를 운반기체(수소등)를 이용하여 증착하고자 하는 기판에 접촉시키고 화합물의 해리반응을 유도한다. 또한, 기판 상에 에너지 공급원을 도입하여 해리반응에 의해 기판에 흡착된 물질을 열분해 시켜 단층의 알루미늄막을 얻을 수 있으며, 위 과정을 반복함으로써 원하는 두께의 알루미늄 막을 얻을 수 있다. 산화알루미늄막을 얻기 위해서는 얻어진 알루미늄 막을 산화하기 위하여 산소함유기체를 도입하고 위에서와 마찬가지로 열에너지 공급원을 통해 열에너지를 공급함으로써 산화알루미늄 막을 얻을 수 있다. 본 기술은 고순도의 높은 전기저항 및 빛에 대한 높은 투명도를 갖는 산화알루미늄 막을 증착시킬 수 있고 자연발화성이 아니며, 쉽게 증발하고 비휘발성 잔류물을 남기지 않으며, 염소와 탄소 오염의 위험이 적은 알루미늄의 화학적 원료로부터 산화알루미늄을 증착하는 것이 가능하다. 본 기술은 플라즈마 에너지를 도입함으로써 반응기의 온도를 낮추는 것이 가능하며, 막의 두께제어 특성과 막의 균일성이 우수한 산화알루미늄을 증착하는 것이 가능하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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