일반기술
갈륨나이트라이드 반도체 박막 제조
· 사파이어 c면 또는 6H-SiC 위에 헤테로에피탁시 기술로 GaN 박막을 제조 · buffer 제조기술 사용 · 고온기상 박막 제조 기술 · Metal Organic CVD 기술 · Halide VPE 기술 · Laser VPE 기술· 고부가가치 반도체 소재로써 차세대 첨단 장비에 고밀도 메모리 디스크 및 저전압 구동형 삼차원 전광판으로 그 수요가 크게 증가할 전망임 · 6H-SiC를 사용하면 반응시간과 반응원료를 크게 줄일 수 있으므로 원가 절감 · 6H-SiC 위에 고품위 GaN 박막을 만듦으로 높은 정밀도의 고성능 디바이스를 만들기에 유리함
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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