일반기술
나노 튜브를 이용한 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법
본 기술은 나노 튜브를 이용하여 커패시터의 전극 구조물을 형성함으로써, 수십 기가급 이상의 DRAM 소자에서 요구되는 단위 셀당 커패시턴스를 충분히 확보할 수 있는 커패시터 및 그 제조방법과, 이를 이용하여 수십 기가 이상의 저장 용량을 가지는 메모리용 I41 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 도전성 나노 튜브를 이용한 커패시터를 DRAM 소자와 같은 메모리 소자에 적용함으로써, 커패시터 제조 공정에 관련된 제반 문제를 획기적으로 개선할 수 있으며, 수십 기가급 이상의 저장 용량이 요구되는 메모리 소자의 경우에 충분히 채용가능 하다. 사진 식각 공정을 통하지 않고 미세한 구조의 나노 튜브들을 포함하는 커패시터를 형성할 수 있기 때문에 제조 원가를 절감할 수 있을 뿐만 아니라 공정 수율을 크게 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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