일반기술

반도체 소자용 막 제조방법

본 기술은 I41를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있는 방법에 관한 것이고, 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 동시에 제조할 수 있는 방법, 기판상부에 형성되는 활성층과 화합물 막간에 양호한 인터페이스가 얻어지도록 활성층 상부의 표면 거칠기를 적게 할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있음은 물론 활성층 및 화합물 막을 동시에 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 활성층과 화합물 막간에 표면 거칠기가 매우 평탄하게 되어 양호한 인터페이스를 얻으므로 제작된 소자의 전기적 특성에 대한 신뢰성을 보장하는 효과가 있다. 재질면에서 그래스, 사파이어, 무결정 실리콘 또는 다결정 실리콘중의 어느것을 기판으로 사용하는 것이 가능하며, 응용면에서 박막 트랜지스터 뿐 만 아니라 일반적인 모스 트랜지스터에도 적용가능하다. 또한, 불순물 이온의 주입에 따라 산화막외의 질화막 또는 타의 화합물 막을 임의로 얻을 수 있다.